1). 最小擊穿電壓VBR和擊穿電流IR。VBR是ESD器件最小的擊穿電壓，在25℃時，低於這個電壓ESD器件是不會發生雪崩的。當ESD器件流過規定的1mA電流(IR)時，加於ESD器件兩極的電壓為其最小擊穿電壓VBR。按ESD器件的VBR與標準值的離散程度，可把VBR分為5%和10%兩種。對於5%的VBR來說，VWM=0.85VBR；對於10%的VBR來說，VWM=0.81VBR。為了滿足IEC61000-4-2國際標準，TVS二極體必須達到可以處理最小8kV(接觸)和15kV(空氣)的ESD衝擊，有的半導體生產廠商在自己的產品上使用了更高的抗衝擊標準。對於某些有特殊要求的可攜式裝置應用，設計者可以按需要挑選器件。

2). 最大反向漏電流ID和額定反向關斷電壓VWM。VWM這是ESD器件在正常狀態時可承受的電壓，此電壓應大於或等於被保護電路的正常工作電壓，否則ESD器件會不斷截止回路電壓；但它又需要儘量與被保護回路的正常工作電壓接近，這樣才不會在ESD器件工作以前使整個回路面對過壓威脅。當這個額定反向關斷電壓VWM加於ESD器件的兩極間時它處於反向關斷狀態，流過它的電流應小於或等於其最大反向漏電流ID。

3). 最大箝位元電壓VC和最大峰值脈衝電流IPP。當持續時間為20mS的脈衝峰值電流IPP流過ESD器件時，在其兩端出現的最大峰值電壓為VC。VC、IPP反映了ESD器件的浪湧抑制能力。VC與VBR之比稱為箝位因數，一般在1.2~1.4之間。VC是ESD器件在截止狀態提供的電壓，也就是在ESD衝擊狀態時通過ESD器件的電壓，它不能大於被保護回路的可承受極限電壓，否則器件面臨被損傷的危險。

4). Pppm額定脈衝功率，這是基於最大截止電壓和此時的峰值脈衝電流。對於手持設備，一般來說500W的ESD器件就足夠了。最大峰值脈衝功耗PM是ESD器件能承受的最大峰值脈衝功耗值。在給定的最大箝位元電壓下，功耗PM越大，其浪湧電流的承受能力越大。在給定的功耗PM下，箝位元電壓VC越低，其浪湧電流的承受能力越大。另外，峰值脈衝功耗還與脈衝波形、持續時間和環境溫度有關。而且，ESD器件所能承受的瞬態脈衝是不重複的，器件規定的脈衝重複頻率(持續時間與間歇時間之比)為0.01%。如果電路內出現重複性脈衝，應考慮脈衝功率的累積，有可能損壞ESD器件。

5). 電容量C。電容量C是由ESD器件材料特性決定的，是在特定的1MHz頻率下測得的。C的大小與ESD器件的電流承受能力成正比，C太大將使信號衰減。因此，C是資料介面電路選用ESD器件的重要參數。電容對於資料/信號頻率越高的回路，ESD器件的電容對電路的干擾越大，形成雜訊或衰減信號強度，因此需要根據回路的特性來決定所選器件的電容範圍。高頻回路一般選擇電容應儘量小(如0402/0603ESDA SC7 和0603ESDA-TR1等，電容不大於0.15pF)，而對電容要求不高的回路可以選擇MLV0402/0603系列等。